Framleiðandi Vöru númer:
SISS05DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISS05DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 29.4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Birgðir:
8567 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786356
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISS05DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
29.4A (Ta), 108A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+16V, -20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4930 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8S
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8S
Grunnvörunúmer
SISS05
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISS05DN-T1-GE3CT
SISS05DN-T1-GE3DKR
SISS05DN-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISH110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
SQM120N04-1M7L_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
SIRA90DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
