Framleiðandi Vöru númer:

SIRA90DP-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIRA90DP-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 30 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

3655 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12786365

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SIRA90DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

30 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

153 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

+20V, -16V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

10180 pF @ 15 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

104W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® SO-8

Pakki / hulstur

PowerPAK® SO-8

Grunnvörunúmer

SIRA90

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SIRA90DP-T1-GE3-DG

Gagnaplakks

SIRA90DP-T1-GE3

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

742-SIRA90DP-T1-GE3DKR

742-SIRA90DP-T1-GE3TR

SIRA90DP-T1-GE3-DG

742-SIRA90DP-T1-GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SIR632DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQM40P10-40L_GE3

MOSFET P-CH 100V 40A TO263

vishay-siliconix

SIHG17N60D-GE3

MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

SIR820DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8