Framleiðandi Vöru númer:
SIR632DP-T1-RE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR632DP-T1-RE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 29A (Tc) 69.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
1096 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786367
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR632DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
ThunderFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
34.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 7.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
740 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
69.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR632
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIR632DP-T1-RE3TR
SIR632DP-T1-RE3CT
SIR632DP-T1-RE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
QH8KA4TCR
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
18377
HLUTARNÁMR
QH8KA4TCR-DG
Einingaverð
0.37
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RS6R060BHTB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
4875
HLUTARNÁMR
RS6R060BHTB1-DG
Einingaverð
1.40
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQM40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 40A TO263
SIHG17N60D-GE3
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
SIR820DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8