Framleiðandi Vöru númer:
SISH110DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISH110DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 13.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Birgðir:
12786357
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISH110DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen II
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8SH
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8SH
Grunnvörunúmer
SISH110
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISH110DN-T1-GE3TR
SISH110DN-T1-GE3CT
SISH110DN-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQM120N04-1M7L_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
SIRA90DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
