Framleiðandi Vöru númer:
SIRA54DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIRA54DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
6000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918322
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIRA54DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5300 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
36.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIRA54
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIRA54DP-T1-GE3TR-DG
SIRA54DP-T1-GE3DKR-DG
742-SIRA54DP-T1-GE3DKR
SIRA54DP-T1-GE3CT-DG
SIRA54DP-T1-GE3CT
742-SIRA54DP-T1-GE3CT
SIRA54DP-T1-GE3TR
742-SIRA54DP-T1-GE3TR
SIRA54DP-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI8457DB-T1-E1
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SI4840DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO