Framleiðandi Vöru númer:
SI8457DB-T1-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8457DB-T1-E1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 12 V 6.5A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Birgðir:
5800 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918326
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8457DB-T1-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
93 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2900 pF @ 6 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Pakki / hulstur
4-UFBGA
Grunnvörunúmer
SI8457
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8457DB-T1-E1DKR
SI8457DB-T1-E1CT
SI8457DB-T1-E1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SI4840DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
SI4446DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
