Framleiðandi Vöru númer:
SI4446DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4446DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12918334
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4446DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
700 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4446
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4446DY-T1-GE3CT
SI4446DY-T1-GE3TR
SI4446DY-T1-GE3DKR
SI4446DYT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI4840BDY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
10637
HLUTARNÁMR
SI4840BDY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.56
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
DMN4034SSS-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
9149
HLUTARNÁMR
DMN4034SSS-13-DG
Einingaverð
0.22
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1413EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
SI5401DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
SIRA04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
