SQD50P04-09L_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQD50P04-09L_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQD50P04-09L_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

10963 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918330
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQD50P04-09L_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6675 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
136W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SQD50

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SQD50P04-09L_GE3DKR
SQD50P04-09L_GE3CT
SQD50P04-09L-GE3-DG
SQD50P04-09L_GE3TR
SQD50P04-09L-GE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI4840DY-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

vishay-siliconix

SI4446DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO

vishay-siliconix

SI1413EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

vishay-siliconix

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8