Framleiðandi Vöru númer:
SI8819EDB-T2-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8819EDB-T2-E1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 12 V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Birgðir:
5990 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913841
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8819EDB-T2-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 3.7V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
650 pF @ 6 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
900mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Pakki / hulstur
4-XFBGA
Grunnvörunúmer
SI8819
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8819EDB-T2-E1-DG
SI8819EDB-T2-E1TR
SI8819EDB-T2-E1DKR
SI8819EDB-T2-E1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTK90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO264
SI7478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
IXFQ30N60X
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
