Framleiðandi Vöru númer:
IXFQ30N60X
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFQ30N60X-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Birgðir:
12913851
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFQ30N60X Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
-
Röð
HiPerFET™, Ultra X
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2270 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
IXFQ30
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
-IXFQ30N60X
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI4122DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
SI7409ADN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
