Framleiðandi Vöru númer:
SI7114ADN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7114ADN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
21620 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913853
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7114ADN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1230 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7114
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7114ADNT1GE3
SI7114ADN-T1-GE3TR
SI7114ADN-T1-GE3-DG
SI7114ADN-T1-GE3CT
SI7114ADN-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4122DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
SI7409ADN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
IRFZ44L
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3