Framleiðandi Vöru númer:
SI4409DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4409DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 150 V 1.3A (Tc) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12913868
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4409DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
332 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4409
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4409DY-T1-GE3CT
SI4409DY-T1-GE3TR
SI4409DY-T1-GE3DKR
SI4409DYT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI4455DY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
32101
HLUTARNÁMR
SI4455DY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.56
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFPE50PBF
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
SI8441DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT
IRL540SPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
