Framleiðandi Vöru númer:
SI7478DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7478DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
4624 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913849
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7478DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
15A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.9W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SI7478
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7478DPT1GE3
SI7478DP-T1-GE3DKR
SI7478DP-T1-GE3CT
SI7478DP-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFQ30N60X
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
SI7114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI4122DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO