SI7882DP-T1-E3

Framleiðandi Vöru númer:

SI7882DP-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7882DP-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 12 V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

RFQ á netinu

12915690

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI7882DP-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

12 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

13A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 17A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

30 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±8V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1.9W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® SO-8

Pakki / hulstur

PowerPAK® SO-8

Grunnvörunúmer

SI7882

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI7882DP-T1-E3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI7115DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIR618DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4004DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

vishay-siliconix

SI5402DC-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8