Framleiðandi Vöru númer:
SI5402DC-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5402DC-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Birgðir:
12915701
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5402DC-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.3W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Grunnvörunúmer
SI5402
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUM110N04-2M3L-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
BUK6607-55C,118
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
SI5447DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
