SI7115DN-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7115DN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7115DN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 150 V 8.9A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Birgðir:

7053 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915695
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7115DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
295mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1190 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-50°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7115

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7115DN-T1-GE3DKR
SI7115DN-T1-GE3CT
SI7115DN-T1-GE3TR
SI7115DNT1GE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIR618DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4004DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

vishay-siliconix

SI5402DC-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

vishay-siliconix

SUM110N04-2M3L-E3

MOSFET N-CH 40V 110A TO263