Framleiðandi Vöru númer:
SI4004DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4004DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 12A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12915700
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4004DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1280 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4004
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4004DYT1GE3
SI4004DY-T1-GE3DKR
SI4004DY-T1-GE3CT
SI4004DY-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI4178DY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2375
HLUTARNÁMR
SI4178DY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.18
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RUS100N02TB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
138
HLUTARNÁMR
RUS100N02TB-DG
Einingaverð
1.28
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SI4136DY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1403
HLUTARNÁMR
SI4136DY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.55
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI5402DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SUM110N04-2M3L-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
BUK6607-55C,118
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK