RUS100N02TB
Framleiðandi Vöru númer:

RUS100N02TB

Product Overview

Framleiðandi:

Rohm Semiconductor

Völu númer:

RUS100N02TB-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Birgðir:

138 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13527495
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

RUS100N02TB Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2250 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOP
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
RUS100

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
RUS100N02TBDKR
RUS100N02TBCT
RUS100N02TBTR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
DMN2009LSS-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
1816
HLUTARNÁMR
DMN2009LSS-13-DG
Einingaverð
0.22
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
RS3E135BNGZETB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2565
HLUTARNÁMR
RS3E135BNGZETB-DG
Einingaverð
0.36
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
rohm-semi

RCX200N20

MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM

rohm-semi

RV2C010UNT2L

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

rohm-semi

SCT3105KLGC11

SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

rohm-semi

QS6U24TR

MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6