Framleiðandi Vöru númer:
RUS100N02TB
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RUS100N02TB-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Birgðir:
138 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13527495
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RUS100N02TB Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2250 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOP
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
RUS100
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
RUS100N02TBDKR
RUS100N02TBCT
RUS100N02TBTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN2009LSS-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
1816
HLUTARNÁMR
DMN2009LSS-13-DG
Einingaverð
0.22
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
RS3E135BNGZETB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2565
HLUTARNÁMR
RS3E135BNGZETB-DG
Einingaverð
0.36
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
RCX200N20
MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
SCT3105KLGC11
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
