Framleiðandi Vöru númer:
DMN2009LSS-13
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN2009LSS-13-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Birgðir:
1816 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12888582
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN2009LSS-13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
58.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2555 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SO
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
DMN2009
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
31-DMN2009LSS-13DKR
31-DMN2009LSS-13TR
31-DMN2009LSS-13CT
DMN2009LSS-13-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI4408DY-T1-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
5837
HLUTARNÁMR
SI4408DY-T1-E3-DG
Einingaverð
1.05
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
DMN2009USS-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
1557
HLUTARNÁMR
DMN2009USS-13-DG
Einingaverð
0.18
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN2005UFGQ-13
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
DMN62D0UT-13
MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
DMTH43M8LFGQ-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333