Framleiðandi Vöru númer:
STP11N52K3
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STP11N52K3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 525 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
564 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12875318
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STP11N52K3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tube
Röð
SuperMESH3™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
525 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
510mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1400 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
STP11N
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
497-11870-5
-497-11870-5
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFP12N50P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
300
HLUTARNÁMR
IXFP12N50P-DG
Einingaverð
1.71
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFB13N50APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1693
HLUTARNÁMR
IRFB13N50APBF-DG
Einingaverð
1.46
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRF740PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1690
HLUTARNÁMR
IRF740PBF-DG
Einingaverð
0.76
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STB24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
STW150NF55
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
