Framleiðandi Vöru númer:
STD9HN65M2
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STD9HN65M2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
12875338
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STD9HN65M2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
MDmesh™ M2
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
60W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
STD9H
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
497-16036-2
497-16036-6
-497-16036-6
497-16036-1
-497-16036-1
-497-16036-2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXTY4N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
70
HLUTARNÁMR
IXTY4N65X2-DG
Einingaverð
1.07
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STF9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STD10PF06-1
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
