IXFP12N50P
Framleiðandi Vöru númer:

IXFP12N50P

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXFP12N50P-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Birgðir:

300 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12911749
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IXFP12N50P Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1830 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
200W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IXFP12

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
-IXFP12N50P

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRFU1N60APBF

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA

vishay-siliconix

SI7230DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

IRFB9N60APBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRFI9640GPBF

MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3