Framleiðandi Vöru númer:
STB24N60DM2
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB24N60DM2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12875323
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB24N60DM2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
FDmesh™ II Plus
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1055 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
STB24
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
497-15423-6
497-15423-2
497-15423-1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFA22N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
250
HLUTARNÁMR
IXFA22N65X2-DG
Einingaverð
2.56
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
AOB27S60L
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
3160
HLUTARNÁMR
AOB27S60L-DG
Einingaverð
1.74
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SIHB22N60ET1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
565
HLUTARNÁMR
SIHB22N60ET1-GE3-DG
Einingaverð
1.52
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
STW150NF55
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
STD9HN65M2
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
