Framleiðandi Vöru númer:
SIHB22N60ET1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHB22N60ET1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
565 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786399
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHB22N60ET1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1920 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
227W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SIHB22
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
SIHB22N60ET1-GE3DKR
SIHB22N60ET1-GE3-DG
SIHB22N60ET1-GE3TR
SIHB22N60ET1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFA22N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
250
HLUTARNÁMR
IXFA22N65X2-DG
Einingaverð
2.56
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
R6020ENJTL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
9101
HLUTARNÁMR
R6020ENJTL-DG
Einingaverð
1.15
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUD50N03-06AP-E3
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
SIA406DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
SQD50P04-13L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
