Framleiðandi Vöru númer:
SIA406DJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA406DJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 12 V 4.5A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
12786405
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA406DJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1380 pF @ 6 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA406
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIA406DJ-T1-GE3DKR
SIA406DJT1GE3
SIA406DJ-T1-GE3TR
SIA406DJ-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIA430DJT-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
3000
HLUTARNÁMR
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
PMPB15XPH
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
2950
HLUTARNÁMR
PMPB15XPH-DG
Einingaverð
0.12
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQD50P04-13L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SIHA2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
SQS401EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
