SIA430DJT-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIA430DJT-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIA430DJT-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

Birgðir:

3000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786083
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIA430DJT-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
800 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
19.2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA430

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SIA430DJT-T1-GE3
Gagnablöð
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIA430DJT-T1-GE3DKR
742-SIA430DJT-T1-GE3CT
742-SIA430DJT-T1-GE3TR
SIA430DJT-T1-GE3-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIRA22DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHP18N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB

vishay-siliconix

SQD50N06-09L_GE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

vishay-siliconix

SIHU6N62E-GE3

MOSFET N-CH 620V 6A IPAK