Framleiðandi Vöru númer:
SQD50N06-09L_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQD50N06-09L_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
4440 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786089
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQD50N06-09L_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3065 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
136W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SQD50
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SQD50N06-09L_GE3CT
SQD50N06-09L_GE3TR
SQD50N06-09L_GE3DKR
SQD50N06-09L-GE3
SQD50N06-09L-GE3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHU6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
SIRA10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SUM90N08-6M2P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
