Framleiðandi Vöru númer:
SIRA10DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIRA10DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
6000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786111
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIRA10DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2425 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 40W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIRA10
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Vara teikningar
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIRA10DP-T1-GE3CT
SIRA10DPT1GE3
SIRA10DP-T1-GE3TR
SIRA10DP-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUM90N08-6M2P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
SQM50028EM_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
SQM200N04-1M7L_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
