Framleiðandi Vöru númer:
SIHG47N60AEL-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG47N60AEL-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
14 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13006601
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG47N60AEL-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
EL
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4600 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
379W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG47
Valkostamódeli
Partanúmer
STW58N65DM2AG
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STW58N65DM2AG-DG
Einingaverð
7.29
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
SIR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
