Framleiðandi Vöru númer:
SIRA12BDP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIRA12BDP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
9695 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13006916
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIRA12BDP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
27A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1470 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 38W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIRA12
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHG22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
SQP60N06-15_GE3
MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB
