Framleiðandi Vöru númer:
SIR638DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR638DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
3065 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13006870
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR638DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10500 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR638
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
SIHG22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
