Framleiðandi Vöru númer:
SIHB105N60EF-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHB105N60EF-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
5691 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13141156
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHB105N60EF-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
EF
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1804 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SIHB105
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-SIHB105N60EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHB105N60EF-GE3TR-ND
742-SIHB105N60EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHB105N60EF-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISS94DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
R6030JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
