Framleiðandi Vöru númer:
R6030JNXC7G
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
R6030JNXC7G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 95W (Tc) Through Hole TO-220FM
Birgðir:
1587 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13141581
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
R6030JNXC7G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
143mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 5.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
95W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220FM
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
R6030
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
846-R6030JNXC7G
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
SIHP11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
