SISS63DN-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SISS63DN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SISS63DN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 20 V 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) 5W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Birgðir:

37687 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

13141847

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SISS63DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET® Gen III

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

35.1A (Ta), 127.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

236 nC @ 8 V

Vgs (hámark)

±12V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

7080 pF @ 10 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

5W (Ta), 65.8W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® 1212-8S

Pakki / hulstur

PowerPAK® 1212-8S

Grunnvörunúmer

SISS63

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

742-SISS63DN-T1-GE3CT

742-SISS63DN-T1-GE3DKR

742-SISS63DN-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SIHP11N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB

vishay-siliconix

SIDR668ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK

SQJQ144AE-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHP24N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB