SQJ992EP-T1_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQJ992EP-T1_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQJ992EP-T1_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Birgðir:

2942 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786922
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQJ992EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
15A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
446pF @ 30V
Kraftur - hámark
34W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8 Dual
Grunnvörunúmer
SQJ992

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SQJ992EP-T1_GE3-DG
SQJ992EP-T1_GE3TR
SQJ992EP-T1-GE3
SQJ992EP-T1_GE3DKR
SQJ992EP-T1-GE3-DG
SQJ992EP-T1_GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQJ500AEP-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8

vishay-siliconix

SISF00DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

vishay-siliconix

SQJB90EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR