Framleiðandi Vöru númer:
SQJB90EP-T1_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQJB90EP-T1_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Birgðir:
940 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787107
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQJB90EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
21.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200pF @ 25V
Kraftur - hámark
48W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8 Dual
Grunnvörunúmer
SQJB90
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SQJB90EP-T1_GE3CT
SQJB90EP-T1_GE3DKR
SQJB90EP-T1_GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIZ904DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
SQJQ900E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
SI8902EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6MICROFOOT
