Framleiðandi Vöru númer:
SISF00DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISF00DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Birgðir:
20549 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787103
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISF00DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
53nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2700pF @ 15V
Kraftur - hámark
69.4W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Grunnvörunúmer
SISF00
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISF00DN-T1-GE3CT
SISF00DN-T1-GE3DKR
SISF00DN-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJB90EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
SIZ904DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
SQJQ900E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
