SIS452DN-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SIS452DN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIS452DN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 12 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Birgðir:

RFQ á netinu

12916626

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SIS452DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

12 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

3.25mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

41 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1700 pF @ 6 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® 1212-8

Pakki / hulstur

PowerPAK® 1212-8

Grunnvörunúmer

SIS452

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SIS452DN-T1-GE3-DG

Gagnaplakks

SIS452DN-T1-GE3

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SIS452DN-T1-GE3DKR

SIS452DNT1GE3

SIS452DN-T1-GE3CT

SIS452DN-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

vishay-siliconix

SISS71DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

vishay-siliconix

SQJA72EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8