SISS71DN-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SISS71DN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SISS71DN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 100 V 23A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Birgðir:

12916642
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SISS71DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
ThunderFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1050 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
57W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8S
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8S
Grunnvörunúmer
SISS71

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISS71DN-T1-GE3CT
SISS71DN-T1-GE3TR
SISS71DN-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQJA72EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4100DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO

vishay-siliconix

SIHP23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB

vishay-siliconix

SQJ474EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8