Framleiðandi Vöru númer:
SIHJ10N60E-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHJ10N60E-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
3057 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12916628
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHJ10N60E-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
784 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
89W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIHJ10
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIHJ10N60E-T1-GE3-DG
SIHJ10N60E-T1-GE3TR
SIHJ10N60E-T1-GE3CT
SIHJ10N60E-T1-GE3DKRINACTIVE
742-SIHJ10N60E-T1-GE3TR
742-SIHJ10N60E-T1-GE3CT
SIHJ10N60E-T1-GE3DKR
SIHJ10N60E-T1-GE3TR-DG
SIHJ10N60E-T1-GE3TRINACTIVE
742-SIHJ10N60E-T1-GE3DKR
SIHJ10N60E-T1-GE3CT-DG
SIHJ10N60E-T1-GE3DKR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISS10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
SISS71DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
SQJA72EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
