Framleiðandi Vöru númer:
SIRA12DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIRA12DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
5783 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786070
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIRA12DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2070 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
4.5W (Ta), 31W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIRA12
Gagnaablað & Skjöl
Vara teikningar
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIRA12DP-T1-GE3DKR
SIRA12DP-T1-GE3TR
SIRA12DPT1GE3
SIRA12DP-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR638DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
SIHG16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC
SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
