SIR638DP-T1-RE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIR638DP-T1-RE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIR638DP-T1-RE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

12786074
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIR638DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10500 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR638

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
SIR638DP-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
3065
HLUTARNÁMR
SIR638DP-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.62
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIHG16N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC

vishay-siliconix

SQJQ402E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SISH101DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK

vishay-siliconix

SIRA18ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8