Framleiðandi Vöru númer:
SQJQ402E-T1_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQJQ402E-T1_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Birgðir:
12786076
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQJQ402E-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
13500 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 8 x 8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 8 x 8
Grunnvörunúmer
SQJQ402
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SQJQ402E-T1_GE3DKR
SQJQ402E-T1_GE3CT
SQJQ402E-T1_GE3-DG
SQJQ402E-T1_GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISH101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
SIRA18ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
SIA430DJT-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6