Framleiðandi Vöru númer:
SIHD12N50E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD12N50E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 550 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
3000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786062
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD12N50E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
550 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
886 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
114W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TA)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD12
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3TRINACTIVE
SIHD12N50E-GE3DKR-DG
SIHD12N50E-GE3DKRINACTIVE
SIHD12N50E-GE3DKR
SIHD12N50E-GE3TR-DG
SIHD12N50E-GE3CT-DG
SIHD12N50E-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQD50N05-11L_GE3
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
SIRA12DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
SIR638DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
