Framleiðandi Vöru númer:
SIHB24N65E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHB24N65E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
1869 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787053
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHB24N65E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2740 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SIHB24
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SIHB24N65E-GE3-DG
SIHB24N65EGE3
742-SIHB24N65E-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHG11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
SIHB10N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
SUD50N03-16P-GE3
MOSFET N-CH 30V TO252
