Framleiðandi Vöru númer:
SUP50020E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SUP50020E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12787061
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SUP50020E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SUP50020
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SUP50020E-GE3DKRINACTIVE
SUP50020E-GE3CT
SUP50020E-GE3CT-DG
SUP50020E-GE3TR
SUP50020E-GE3TRINACTIVE
SUP50020E-GE3DKR
SUP50020E-GE3TR-DG
SUP50020E-GE3DKR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDP023N08B-F102
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
890
HLUTARNÁMR
FDP023N08B-F102-DG
Einingaverð
1.57
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
TK100E06N1,S1X
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
11
HLUTARNÁMR
TK100E06N1,S1X-DG
Einingaverð
1.09
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHB12N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
SIHG47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
SIHG80N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
