Framleiðandi Vöru númer:
SIHG47N65E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG47N65E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
489 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787065
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG47N65E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5682 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
417W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG47
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SIHG47N65E-GE3-DG
2266-SIHG47N65E-GE3
742-SIHG47N65E-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FCH070N60E
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
473
HLUTARNÁMR
FCH070N60E-DG
Einingaverð
5.38
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
APT47N60BC3G
FRAMLEIÐANDI
Microchip Technology
Fjöldi í boði
2
HLUTARNÁMR
APT47N60BC3G-DG
Einingaverð
10.09
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPW65R080CFDAFKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
493
HLUTARNÁMR
IPW65R080CFDAFKSA1-DG
Einingaverð
5.98
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHG80N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
SUD50P04-09L-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SUM110N05-06L-E3
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
