Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R080CFDAFKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R080CFDAFKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Birgðir:
493 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801391
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R080CFDAFKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
43.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.76mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4440 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
391W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R080
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
SP000875806
2156-IPW65R080CFDAFKSA1
INFINFIPW65R080CFDAFKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPP037N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB60R125C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
