Framleiðandi Vöru númer:
SIHG11N80E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG11N80E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12787054
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG11N80E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1670 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
179W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG11
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFH16N80P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
295
HLUTARNÁMR
IXFH16N80P-DG
Einingaverð
4.52
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFH14N60P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
24
HLUTARNÁMR
IXFH14N60P-DG
Einingaverð
2.65
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHB10N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
SUD50N03-16P-GE3
MOSFET N-CH 30V TO252
SUP50020E-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB