Framleiðandi Vöru númer:
SI7230DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7230DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
12914742
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7230DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7230
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RQ3E100MNTB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
5261
HLUTARNÁMR
RQ3E100MNTB1-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RQ3E080BNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
40431
HLUTARNÁMR
RQ3E080BNTB-DG
Einingaverð
0.10
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
IRFL210PBF
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
BUK7520-55A,127
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
